IT之家 1 月 21 日音尘，韩媒 ETNews 本日报说念称，电子里面为应付其 12nm 级 DRAM 内存家具靠近的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改变现存 1b nm 工艺的同期重新打算新版 1b nmDRAM。
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据悉该新版 12nm 级 DRAM 工艺时势名为 D1B-P（IT之家注：P 为 Prime 的简写），专注改变能效和散热发达，这与三星此前的第六代 V-NAND 改变版制程 V6P 选拔了疏导的定名逻辑。
▲ 三星电子基于现存 12nm 级制程的 32Gb DDR5
三星在 2022 年 12 月、2023 年 5 月先后晓谕其 12nm 级 DDR5 DRAM 完成设备与批量出产，但此代工艺并未在 LPDDR5x 等要道领域获取告捷，三星 DS 部门致使因此丢掉了 MX 部门 Galaxy S25 系列手机初期内存一供的地位。
此外，现存 12nm 级 DRAM 工艺在作出初始 D1B-P 项倡导决定时良率仅有 60% 摆布，远低于业界大界限量产所需的 80%~90%。
报说念指出三星电子在 2024 年底为 D1B-P 时势艰苦订购了必需确立，该制程瞻望将于 2025 年内量产，最早的推出技巧则是本年 2~3 季度。
