表面上看，这些措施似乎显示了美国对台湾的“支持”，但实际上更像是政治表态，形式意义大于实质作用：

IT之家 1 月 22 日音问，音问源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）发布博文，报说念称电子否定了对于再行瞎想其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报说念。

IT之家昨日征引 ETNews 报说念，三星电子里面为搪塞其 12nm 级 DRAM 内存产物濒临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在阅兵现存 1b nm 工艺的同期重新瞎想新版 1b nm DRAM。

市集不雅察东说念主士觉得，三星修改 1b DRAM 瞎想的决定源于竞争压力。SK 海力士和好意思光已在 HBM 中取舍 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

此外，据报说念，三星来源了名为“D1b-p”的开辟神志，旨在提高其 DRAM 业务的竞争力，“p”代表“prime”，标志着超卓的品性，该神志要点表情提高电源效果和散热性能。

▲ 三星电子基于现存 12nm 级制程的 32Gb DDR5

尽管三星是大家 DRAM 限度的指令者，但现在正濒临来自 SK 海力士和好意思光的挑战。这两家公司王人已得手生意化 1b DRAM，SK 海力士甚而在 2024 年 8 月最初完成了 1c DRAM 的开辟。

有音问称，三星 Galaxy S25 系列智高手机行将发布，好意思光将成为其主要的转移 DRAM (LPDDR5) 供应商。这被觉得是由于三星尚未彻底处分 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。

三星通过该媒体给予否定，称干系报说念不准确。这次事件激勉了业界平方表情，突显了存储芯片市集竞争的强烈进度。

尽管三星否定了再行瞎想的报说念，但业内东说念主士裸露，三星的狡计是普及 1b DRAM 的性能和良率。据称，再行瞎想触及工艺调度，本钱腾贵且复杂，三星已雄壮订购修复，贪图在 2024 年底前完成装置和测试，更新后的 1b DRAM 展望将于 2025 年第二或第三季度量产。

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